TOKYO BOEKI - официальный дистрибьютор Minimal Fab на территории России, странах СНГ и Европе
RU | EN
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛИНИИ
Телефон:
+7-495-223-4000
Факс:
+7-495-223-4001
E-mail:
main@tokyo-boeki.ru

Minimal Oxide Wet Etcher

Minimal Oxide Wet Etcher - Установка влажного травления оксидов.
Используется раствор: BHF (NH4F+HF).

Основные характеристики:

Химические реактивы

Каждый химический раствор расположен в отдельном картридже. Замена и пополнение картриджа химическим раствором можно делать в процессе работы установки.

Визуализация процесса

Установленная камера позволяет в режиме реального времени наблюдать и контролировать процесс очистки.

Подогрев реактивов

Меньше потерь жидкости при нагреве с обратной стороны подложки. Контроль температуры жидкости устанавливается в режиме реального времени.

Капельная технология очистки

Благодаря малому размеру подложки и хорошему поверхностному натяжению расход реактивов составляет единицы мл.

Спецификация:

Размеры и вес оборудования
Размеры Ш х В х Г:294х1440х450 мм
Вес 70 кг (без химических реактивов)
Подключение
Питание 1 фаза, ~100В, 10А, 50/60 Гц
Сжатый воздух 0,5 МПа,20 л/мин
Азот (газ) 0,3 МПа, 5 л/мин
Общий выхлоп 400 л/мин
Конфигурация устройства
Система загрузки подложки Air PLAD
Задвижка Заслонка резинового типа
Камера очистки Закрытого типа, двухкамерная
Используемые химикаты
Общего пользования Деионизированная вода DIW (15МОм*см или более)
Специального назначения BHF (NH4F+HF)
Процессорная камера
Столик вращения Подложка: 12,5 мм
Максимальна скорость вращения:3 000 об/мин
Дополнительная очистка Ультразвуковой преобразователь с сапфировой пластиной: 1МГц/ 5Вт
Нагрев Галогеновая лампа
Поддержка качества DIW Поддержкадо 17МОм*см путем циркуляции внутри устройства

Литература:
1. Sommawan Khumpuang, Hitoshi Maekawa, Shiro Hara, IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines, Vol.133 No.9 pp.272-277.
2. Shiro Hara, SEAJ Journal 2014, 4 No. 145, p.20.
3. Norio Umeyama, Atsushi Yamazaki, Takaaki Sakai, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara, Development of a Half-Inch Wafer for Minimal Fab Process, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference Proceedings of Technical Papers, 2017, P-25, p.228.