Minimal Cu Wet Etcher
Minimal Cu Wet Etcher - Установка влажного травления Cu.
Используется смешанный раствор: Iron(III) Chloride(FeCl3)
Основные характеристики:
Каждый химический раствор расположен в отдельном картридже. Замена и пополнение картриджа химическим раствором можно делать в процессе работы установки.
Установленная камера позволяет в режиме реального времени наблюдать и контролировать процесс очистки.
Меньше потерь жидкости при нагреве с обратной стороны подложки. Контроль температуры жидкости устанавливается в режиме реального времени.
Благодаря малому размеру подложки и хорошему поверхностному натяжению расход реактивов составляет единицы мл.
Спецификация:
| Размеры и вес оборудования | |
|---|---|
| Размеры | Ш х В х Г:294х1440х450 мм |
| Вес | 70 кг (без химических реактивов) |
| Подключение | |
| Питание | 1 фаза, ~100В, 10А, 50/60 Гц |
| Сжатый воздух | 0,5 МПа, 20 л/мин |
| Азот (газ) | 0,3 МПа, 5 л/мин |
| Общий выхлоп | 400 л/мин |
| Конфигурация устройства | |
| Система загрузки подложки | Air PLAD |
| Задвижка | Заслонка резинового типа |
| Камера очистки | Закрытоготипа, двухкамерная |
| Используемые химикаты | |
| Общего пользования | Деионизированная вода DIW (15МОм*см или более) |
| Специального назначения | FeCl3(aq) HCl |
| Процессорная камера | |
| Столик вращения | Подложка: 12,5 мм Максимальна скорость вращения: 3 000 об/мин |
| Дополнительная очистка | Ультразвуковой преобразователь с сапфировой пластиной: 1МГц/ 5Вт |
| Нагрев | Галогеновая лампа |
| Поддержка качества DIW | Поддержкадо 17МОм*см путем циркуляции внутри устройства |
Литература:
1. Sommawan Khumpuang, Hitoshi Maekawa, Shiro Hara, IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines, Vol.133 No.9 pp.272-277.
2. Shiro Hara, SEAJ Journal 2014, 4 No. 145, p.20.
3. Norio Umeyama, Atsushi Yamazaki, Takaaki Sakai, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara, Development of a Half-Inch Wafer for Minimal Fab Process, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference Proceedings of Technical Papers, 2017, P-25, p.228.