Корпусирование интегральных микросхем на уровне подложки

FOWPL упаковка

Рис. 1. Полудюймовая восстановленная пластина и RDL дизайн.

Рис. 2. Разработанная технологическая RDL схема после процесса воссоздания пластины и поперечное сечение.

Minimal FOWLP package – технология корпусирования интегральных микросхем на уровне подложки (англ. Fun-Out Wafer-Level Package), разработанная консорциумом Minimal Fab. Полная линейка Minimal FOWLP package состоит из 16 устройств в форм-факторе Minimal.
В FOWLP контакты на поверхности кристалла или нескольких кристаллов, упаковываемых в один корпус, выводятся за пределы проекции с помощью распределительных слоев из эпоксидного компаунда, на которых сформированы проводящие дорожки. Это дает возможность снабдить кристаллы небольшого размера большим числом выводов при сохранении малой толщины корпуса, а также, улучить отвод тепла и возможность упаковки нескольких кристаллов в один корпус.

Литература:
1. Yasuhide Higashino, Fumito Imura, Michihiro Inoue, Arami Saruwatari, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Application of lithography in MINIMAL Package. Proceedings of the 76th JSAP Autumn Meeting, 2015, 12-034.
2. Fumito IMURA, Yasuhide HIGASHINO, Koyu HOCHI, Yuji KITAYAMA, Junko KAZUSA, Michihiro INOUE, Arami SARUWATARI, Sommawan KHUMPUANG and Shiro HARA. Wafer-Packaging System Integrating with Electronic Device Manufacturing Line for a Half-Inch Wafer. Journal of Smart Process, 2016, Vol.5, No.5, p.280
3. Kenji Miyake, Masanori Iwata, Toru Mannami. Development of Half-inch FOWLP Process Line utilizing Minimal Fab. International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 2018, FM-O-19.
4. Fumito Imura, Michihiro Inoue, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Via Interconnections for Half-Inch Sized Package Fabricated by Minimal Fab. 20th Electronics Packaging Technology Conference EPTC-2018, p.88-92.
5. Fumito Imura, Michihiro Inoue, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Via Interconnections for Half-Inch Packaging of Electronic Devices Using Minimal Fab Process Tools. Journal of Photopolymer Science and Technology. Volume 32, Number 6 (2019) p. 763-768.