TOKYO BOEKI - официальный дистрибьютор Minimal Fab на территории Евразии
RU | EN
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛИНИИ
E-mail:
main@tokyo-boeki-ea.com

Minimal Plasma Etcher

Minimal Plasma Etcher - установка микроплазменного травления Si, SiO2. Эффективное, высокоскоростное и очень равномерное травление возможно благодаря сочетанию микроплазмы и РЧ плазмы. Возможно озоление при смене типа газа.

Производительность Minimal Plasma Etcher:
Скорость травления 100 нм/мин для Si
Используемые газы CF4, O2, Ar, SF6
Столик Перемещение по 3 осям

Рис. 1. Пример травления. Условия обработки: шаг 1: Обработка плазмой SF6 + Ar, шаг 2: Обработка плазмой CF4 + Ar.


Рис. 2: Схема микроплазменного травления установки Minimal Plasma Etcher.

Рис 3. Принцип микроплазменного травления (при использовании CF<>4 + Ar).

Литература:
1. H. Tanaka, S. Nakano, Y. Shimizu, H. Ogiso, S. Futagawa, H. Yoshioka, T. Fukuda, Y. Uchiyama, S. Khumpuang, S. Hara. Minimal System of Micro-Plasma Etcher Equipment. Proceedings of the 61st JSAP Spring Meeting, 2014, 19p-E14-14.
2. H. Tanaka, K. Koga, H. Ogiso, S. Nakano, S. Shimbori, C. Iwase, S. Khumpuang, S. Hara. Application of Minimal Micro-Plasma Etcher to Device Processing. Proceedings of the 80th JSAP Autumn Meeting, 2019.