TOKYO BOEKI - официальный дистрибьютор Minimal Fab на территории России, странах СНГ и Европе
RU | EN
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛИНИИ
Телефон:
+7-495-223-4000
Факс:
+7-495-223-4001
E-mail:
main@tokyo-boeki.ru

Minimal Metal Plasma Etcher

Minimal Metal Plasma Etcher - Установка плазменного травления металлов пленок Al, SiO2, SiN, GaN и других соединений методом индукционно-связанной плазмы (ICP).

Производительность Minimal DRIE:
Скорость травления ~0.4 мкм/мин для Al
Коэффициент селективности маски из фоторезиста (PR) ~ 30:1
Коэффициент селективности маски из SiO2 ~ 4:1
Источник плазмы Индуктивно-связанная(ICP)
Используемые газы Cl2, BCl3,O2, CF4
Предельный вакуум ~10-3Pa или меньше

Рис. 1. Схема плазменного травления металлов (ICP) пленок установки Minimal Metal Plasma Etcher.

Рис. 2. Пример травления пленки Al толщиной 0.5 мкм.

Рис. 3. Изображение протравленной пленки Al толщиной 0,3 мкм.

Литература:
1. Masashi Kase, H. Tanaka, Y. Nozawa, T. Hayami, S. Khumpuang, S.Hara. Development and Characterization of Minimal Plasma tool for Metal Etching. Proceedings of the 65 JSAP Spring Meeting, 2018, 12-477.