Minimal Metal Plasma Etcher
Minimal Metal Plasma Etcher - Установка плазменного травления металлов пленок Al, SiO2, SiN, GaN и других соединений методом индукционно-связанной плазмы (ICP).
| Производительность Minimal DRIE: | |
|---|---|
| Скорость травления | ~0.4 мкм/мин для Al |
| Коэффициент селективности маски из фоторезиста (PR) | ~ 30:1 |
| Коэффициент селективности маски из SiO2 | ~ 4:1 |
| Источник плазмы | Индуктивно-связанная(ICP) |
| Используемые газы | Cl2, BCl3,O2, CF4 |
| Предельный вакуум | ~10-3Pa или меньше |
Рис. 1. Схема плазменного травления металлов (ICP) пленок установки Minimal Metal Plasma Etcher.
Рис. 2. Пример травления пленки Al толщиной 0.5 мкм.
Рис. 3. Изображение протравленной пленки Al толщиной 0,3 мкм.
Литература:
1. Masashi Kase, H. Tanaka, Y. Nozawa, T. Hayami, S. Khumpuang, S.Hara. Development and Characterization of Minimal Plasma tool for Metal Etching. Proceedings of the 65 JSAP Spring Meeting, 2018, 12-477.