Minimal Deep Reactive Ion Etching

Minimal Deep Reactive Ion Etching – установка глубокого реактивного ионного травления (Bosch-процесс).
Благодаря уникальной технологии в фор-факторе Minimal, обеспечиваетcя высокоанизотропное травление при сохранении высокого аспектного соотношения.

Производительность Minimal DRIE:
Скорость травления	~2 мкм/мин для Si
Коэффициент селективности маски из фоторезиста(PR)	~ 30:1
Источник плазмы	Индуктивно-связанная (ICP)
Используемые газы	C4F8,O2, Ar, SF6
Предельный вакуум	~10-4Pa или меньше

Рис. 1. Схема реактивного ионного травления с источником индуктивно связанной плазмы установки Minimal Deep Reactive Ion Etching.

Рис. 2. Принципиальная схема морфологии протравленной поверхности при малых (а) и высоких (б) скоростях переключения газа.

Рис. 3. Результаты сквозного травления Si при малых (а) и высоких (б) скоростях переключения газа.

Рис. 4. Изображение в поперечном сечении гладкой и прямой структуры 2 мкм, протравленной линиями и пространством, с полным циклом 2 сек-цикл для 300 циклов.

Литература:
1. H. Tanaka, H. Ogiso, S. Nakano, T. Hayami, T. Miyazaki, K. Tomisaka, H. Tezen, S. Khumpuang, S. Hara. Tiny chamber-rapidly deposit/etch gases switching in shallow Bosch process. Proceedings of the 76th JSAP Autumn Meeting, 2015б 13p-1C-12.
2. H. Tanaka, H. Ogiso, S. Nakano, Y. Nozawa, T. Hayami, S. Khumpuang, S. Hara. Through silicon via etching with high-speed gas-switching Bosch process using minimal ICP deep trench etcher. Proceedings of the 64th JSAP Spring Meeting, 2017, 16a-E206-7.
3. Sommawan Khumpuang, Hiroyuki Tanaka, Shiro Hara. Effective Performance of a Tiny-chamber Plasma Etcher in Scallop Reduction. IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference Proceedings of Technical Papers, 2017, p.150.
4. Hiroyuki Tanaka, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Small Plasma Space with a Small Plasma Source and Its Advantage in Minimal Fab. Journal of Photopolymer Science and Technology, Volume 32, Number 5 (2019) p.747?752.