Minimal CCP Etcher

Minimal CCP Etcher - Установка травления Si, SiO₂ методом емкостно-связанной плазмы.

Производительность Minimal CCP Etcher:
Скорость травления	100 нм/мин до 500 нм/мин для SiO2
Используемые газы	CF4, O2,Ar
Вакуумная система	Турбомолекулярный насос + сухой насос. 5×10-4Pa или меньше

Принцип работы:
Minimal CCP Etcher представляет собой установку для плазменного травления, использующую газообразный тетрафторид углерода (CF₄). Плазма генерируется методом двухчастотного возбуждения CCP, в котором высокая частота 40 МГц применяется к верхнему электроду, а высокая частота 2 МГц применяется к нижнему электроду. Верхний электрод имеет отверстие для ввода газа в виде насадки для душа, и газообразный тетрафторид углерода (CF₄), газообразный аргон (Ar), газообразный кислород (0₂) могут использоваться отдельно или в виде смеси в рабочей камере.

Подложка Si травится с использованием ионов, электронов и радикалов в плазме. Нижний электрод содержит воду. Для заполнения пространства между нижним электродом и подложкой используется газообразным He для эффективного теплообмена между нижним электродом и подложкой, таким образом осуществляет контроль температуры. Ступень нижнего электрода имеет подъемный механизм и может перемещаться в два положения: положение переноса подложки и положение обработки. Расстояние между верхним электродом и нижним электродом составляет около 5мм~50мм без нарушения вакуума за счет использования сильфонного механизма, установленного на верхнем электроде. Применяя метод CCP с двухчастотным возбуждением, можно отдельно управлять генерацией плазмы и напряжением смещения подложки, а также улучшить скорость травления, форму и однородность. Скорости травления составляет от 100 нм/мин до 500 нм/мин для пленки оксида кремния.

Пример применения система плазменного травления Minimal CCP Etcher с двухчастотным возбуждением:

• Травление кремниевой пленки.
• Травление пленки оксида кремния.
• Травление пленки нитрида кремния.
• Плазменное озоление 0₂.
• Физическое травление плазмой Ar.