TOKYO BOEKI - официальный дистрибьютор Minimal Fab на территории России, странах СНГ и Европе
RU | EN
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛИНИИ
Телефон:
+7-495-223-4000
Факс:
+7-495-223-4001
E-mail:
main@tokyo-boeki.ru

Minimal PZT Sol-Gel Station

Minimal PZT Sol-Gel Station - Установка для золь-гель процесса для PbTiO3–PbZrO3 (PZT) тонких пленок.

Описание установки Minimal PZT Sol-Gel Station:
- Формирование пленки PZT.
- Высокоточное покрытие PZT и функция лазерного нагрева.
- Оснащен блоком очистки выхлопных газов.


Рис. 1. Общая схема установки Minimal PZT Sol-Gel Station.

Пример осаждения Minimal PZT Sol-Gel Station.
Оксидная пленка была сформирована на Si-пластине при длине волны 100 нм, а Ti 30 нм и Pt 200 нм, которые являются нижними электродами, были ламинированы. Раствор зольгеля PZT (PbO: ZrO2: TiO2 110/52/48) покрывается центрифугированием, сушится и предварительно запекается, при низкой температуре 1,7°C/сек (650°C, 5 мин) и высокой температуре 60°C/сек (этот обжиг проводился при двух условиях (550°C и 5 мин) для получения 1-слойной и 4-слойной пленки PZT. Как показано на рис. 1, пленкой PZT, полученная с помощью устройства Minimal PZT Sol-Gel Stat, можно управлять ориентацией (111) / (100), изменяя скорость.


Рис. 2. Связь между скоростью нарастания и интенсивностью дифракции для ориентации (100)/(200)/(111).

Рис. 3. Рентгеновская дифрактограмма при низком нарастании 1,7°C/сек и при высоком наклоне 60°C/сек в слоях 1 и 4.
*(100), (111), (200) - фаза перовскита.

Литература:
1. Junko Kazusa, Kazuhiro Koga, Norio Umeyama, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Preparation of PZT multi-layer films using continual process of Minimal PZT Sol-Gel Station. Proceedings of the 76th JSAP Autumn Meeting, 2015, р. 12-032.