TOKYO BOEKI - официальный дистрибьютор Minimal Fab на территории России, странах СНГ и Европе
RU | EN
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛИНИИ
Телефон:
+7-495-223-4000
Факс:
+7-495-223-4001
E-mail:
main@tokyo-boeki.ru

Minimal Sputtering

Minimal Sputtering - Установка высокоэнергетического импульсного магнетронного распыления (HIPIMS - High Power Impulsed Magnetron Sputtering). Источник распыления: 1-дюймовый магнетронный источник распыления. Мишень на выбор: Al, Al-Si, Ti, TiN, Cu. Источник питания: DC, DC импульсный, доступный источник питания RF. Может быть оснащен функцией обратного распыления.

Особенности:

- Сверхкомпактный источник магнетронного распыления для равномерного осаждения.
- Простая замена мишени и обслуживание.
- Проверенные результаты для различных типов распыления, включая реактивное распыления (опция).
- Сверхмалый дуговой разряд позволяет осаждать плотную пленки.
- Оснащен методом импульсной плазмы (HIPIMS).

Разработан ультракомпактный источник
Разработана система выдвижного механизма для ультракомпактного источника, обеспечивающего простую замену мишени и ремонтопригодность.

 

Разработано 3 типа малых источников энергии: источник питания постоянного тока, импульсный источник питания HiPIMS, источник питания RF.
Простота в использовании и легкая заменен другими типами мишенями, такими как Al, AISi, Ti, Cu, Au, Pt, Cr, TiN и т.д.

Спецификация

Размеры и вес оборудования
Размеры Ш х В х Г:294х1440х450 мм
Вес 100 кг
Подключение
Питание 1 фаза, ~100В, 10А, 50/60 Гц
Газ Сжатый воздух 0.4 МПа, N2
Баллон аргона Встроенный в корпус (Также аргон может быть подведен из внешнего цилиндра)
Вакуумная система
Система загрузки подложки Vac PLAD
Вакуумная откачка турбомолекулярный насос +сухой насос
Предельный уровень вакуума 10-5 Па (возможен отжиг)
Контроль давления контроль APC
Конфигурация устройства напыления
Источник распыления 1-дюймовыйисточник магнетронного распыления
Размер мишени Ø32мм х 1мм толщина
Расход технологического газа (Ar) до 20 см3.
Реактивное распыление: может быть добавлен согласно запросу клиента
Подложка 12.5 мм
Источник питания
Источник постоянного тока (DC) Максимальное напряжение: 1000 В,
максимальный ток: 250 мА
HIPIMS Ширина импульса: 3 ~200 мкс,частота: 5000 Гц
Высокочастотный источник (RF) Частота: 13,56 Гц, мощность : 50 Вт / 200 Вт

Литература:
1. Hisato Ogiso, Shizuka Nakano, Ken Yukimura, Akihiko Kato, Yuki Yabuta, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. The Small HIPIMS Plasma Source and the Application for Minimal Fab. 2013 Proceedings of the 74th JSAP Autumn Meeting, 2013, 18p-C5-7.
2. Hisato OGISO, Ken YUKIMURA, Shizuka NAKANO, Hiroyuki TANAKA, Sommawan KHUMPUANG, Yuuki YABUTA, Ryuichiro KAMEI, Shiro HARA. Development of Miniature Sputtering Deposition Equipment for Minimal Fab with HiPIMS Operations. Journal of the Vacuum Society of Japan 60(9):365-371 (2017).
3. Yongxun Liu, Hiroyuki Tanaka, Norio Umeyama, Kazuhiro Koga, Sommawan Khumpuang, Masayoshi Nagao, Takashi Matsukawa1, Shiro Hara. Investigation of piezoresistive effect in p-channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors fabricated on circular silicon-on-insulator diaphragms using cost-effective minimal-fab process. Japanese Journal of Applied Physics 57, 06HD03 (2018).