Minimal TEOS PE-CVD

Minimal TEOS PE-CVD - Установка химического парофазного осаждения с усиленной плазмой для осаждения оксидной пленки SiО₂ при низкой температуре 300°C.
Встроенный TEOS резервуар в корпусе оборудования.• Используется источник CCP (метод емкостно-связанной плазмы).

Производительность Minimal TEOS PE-CVD: Скорость осаждения: 0,4 мкм/мин Показатель преломления: 1.46

Оксидная пленка SiО₂ толщиной 380 нм.

На рис. 1 представлена принципиальная схема технологической части установки химического парофазного осаждения Minimal TEOS PE-CVD. Это устройство представляет собой устройство плазменного CVD с параллельными пластинами, где на верхний электрод подается высокая частота 27 МГц для генерации плазмы. Поскольку тетраэтоксисилан (TEOS) в качестве исходного газа используется в небольшом количестве, примерно 1 куб.см., жидкость нагревается, испаряется и вводится в камеру, а газ-носитель, такой как Ar 2, не используется.

Рис. 1. Структура установки химического парофазного осаждения Minimal TEOS PE-CVD.

Литература:
1. Noriko Miura, Kazuhiro Koga, Hiroyuki Tanaka, Yoshiyuki Nozawa, Toshihiro Hayami, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Study for Quality Improvement of Minimal Plasma TEOS Film by Using Quality Engineering. 2019 Proceedings of the 66th JSAP Spring Meeting, 2019.