Minimal SiN PE-CVD

Minimal SiN PE-CVD - Установка химического парофазного осаждения с усиленной плазмой для осаждения SiN.

Производительность Minimal SiN PE-CVD:
Скорость осаждения: 50 нм/мин
Показатель преломления: 1.90 ~ 2.15

Пленка SiN, осажденная на установке Minimal SiN PE-CVD.

Литература:
1. Noriko Miura, Kazuhiro Koga, Hiroyuki Tanaka, Yoshiyuki Nozawa, Toshihiro Hayami, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Study for Quality Improvement of Minimal Plasma TEOS Film by Using Quality Engineering. 2019 Proceedings of the 66th JSAP Spring Meeting, 2019.