Minimal CVD

Minimal CVD - Установка химического парофазного осаждения.
Термический рост тонкой эпитаксиальной пленки Si.
Использование допирующего газа позволяет формировать пленки P- и N- типа.

Особенности:
- Температура нагрева: до 1100°С.
- Скорость вращения подложки: 0 – 10 обр/мин
- Используемые газы: N2 , Ar , H2 , SiHCl3 , ClF3 , B2H6.

Рисунок 1. Структура установки химического парофазного осаждения Minimal CVD.

Литература:
1. Ning Lia, Hitoshi Habuka, Shin-ichi Ikeda, Shiro Hara. Silicon chemical vapor deposition process using a half-inch silicon wafer for Minimal Manufacturing System. Physics Procedia 46 ( 2013 ) p.230 – 238.
2. Ning Li, Hitoshi Habuka, Takanori Mikahara, Shin-ichi Ikeda, Yuuki Ishida, Shiro Hara. Half-Inch Silicon CVD Reactor Using Concentrated Infrared Light Heater. Proceedings of the 62nd JSAP Spring Meeting, 2015, 14p-A29-5.
3. Ning Li, Hitoshi Habuka, Yuuki Ishida, Shin-ichi Ikeda,d Shiro Hara. Reflector Influence on Rapid Heating of Minimal Manufacturing Chemical Vapor Deposition Reactor. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 5 (5) P280-P284 (2016).
4. Ayami Yamada, Ning Li, Miya Matsuo, Mitsuko Muroia, Hitoshi Habukaa, Yuuki Ishidab, Shin-Ichi Ikedab, Shiro Hara. Transport phenomena in a slim vertical atmospheric pressure chemical vapor deposition reactor utilizing natural convection. Materials Science in Semiconductor Processing 71 (2017) p.348–351.
5. Ning Li, Hitoshi Habuka, Yuuki Ishida, Shin-ichi Ikeda, Shiro Hara. Silicon Epitaxial Reactor for Minimal Fab. IntechOpen: Epitaxy. Chapter 6. р.131-152.