RCA Station
Minimal RCA Station - Установка очистки поверхности подложки от металлических частиц с двумя камерами обработки.
Описание:
- Minimal RCA Station имеет две камеры обработки поверхности подложки внутри оборудования: SC-1 (NH4OH+H2O2) и SC-2 (HCl+H2O2), HF, поэтому с помощью одного оборудования можно выполнять кислотные и щелочные процессы.
- Система подачи жидкости сверхмалого количества позволяет очень точно контролировать подачу обрабатывающей жидкости, такой как жидкость для очистки и жидкость для травления.
- Можно выбирать между процессом с повышение температуры и процессом при комнатной температуре. В процессе нагревания обрабатывающая жидкость на пластине нагревается снизу пластины с помощью специальной галогенной лампы.
- Установка оснащена специальным ультразвуковым преобразователем для дополнительной очистки.
- Вредные выхлопные газы, образующиеся в процессе обработки, обезвреживаются внутри оборудования.
Основные характеристики
Каждый химический раствор расположен в отдельном картридже. Замена и пополнение картриджа химическим раствором можно делать в процессе работы установки.
Установленная камера позволяет в режиме реального времени наблюдать и контролировать процесс очистки.
Меньше потерь жидкости при нагреве с обратной стороны подложки. Контроль температуры жидкости устанавливается в режиме реального времени.
Благодаря малому размеру подложки и хорошему поверхностному натяжению расход реактивов составляет единицы мл.
Пример данных очистки (частицы загрязнения: частицы кремнезема)
Спецификация
| Размеры и вес оборудования | |
|---|---|
| Размеры | Ш х В х Г:294х1440х450 мм |
| Вес | 90 кг (без химических реактивов) |
| Подключение | |
| Питание | 1 фаза, ~100В, 10А, 50/60 Гц |
| Сжатый воздух | 0,5 МПа,20 л/мин |
| Азот (газ) | 0,3 МПа, 5 л/мин |
| Общий выхлоп | 400 л/мин |
| Конфигурацияу стройства | |
| Система загрузки подложки | Air PLAD |
| Задвижка | Заслонка резинового типа |
| Камера очистки | Закрытого типа, двухкамерная |
| Используемые химикаты | |
| Общего пользования | Деионизированная вода DIW (15МОм*см или более) |
| SC-1 | NH4OH,H2O2 |
| SC-2 | HCl, H2O2,HF |
| Процессорная камера | |
| Столик вращения | Подложка:12,5 мм Максимальна скорость вращения: 3 000 об/мин |
| Дополнительная очистка | Ультразвуковой преобразователь с сапфировой пластиной: 1МГц/ 5Вт |
| Нагрев | Галогеновая лампа |
| Поддержка качества DIW | Поддержка до 17МОм*см путемциркуляции внутри устройства |
Литература:
1. Sommawan Khumpuang, Hitoshi Maekawa, Shiro Hara, IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines, Vol.133 No.9 pp.272-277.
2. Shiro Hara, SEAJ Journal 2014, 4 No. 145, p.20.
3. Norio Umeyama, Atsushi Yamazaki, Takaaki Sakai, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara, Development of a Half-Inch Wafer for Minimal Fab Process, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference Proceedings of Technical Papers, 2017, P-25, p.228.
Minimal RCA Station - Установка для двусторонней очистки подложки. RCA очистительная машина позволяет смешивать, контролировать количество и регулировать температуру каждого химического вещества непосредственно перед сливом очищающего раствора.
Описание:
- Двух стадийная очистка подложки (встроенный поточный нагрев жидкости, повышение давления N2 в камере).
- Установлена циркуляция сверхчистой воды (поддержание высокого удельного сопротивления, удаление растворенного кислорода).
- Установлен циркуляционный фильтр для каждого химического раствора.
- Установлен скруббер для удаления выхлопных газов.
- Высокая воспроизводимость взвешивания химических растворов и простое изменение настроек коэффициента смешивания.
- Оснащен большой бутылкой чистой воды (2 л) и бутылкой для жидких отходов (2,5 л).
- Бесконтактная очистка (только точечный контакт).
Блок циркуляции сверхчистой воды
Поддержание высокого удельного сопротивления. Установка внутри оснащена блоком циркуляции DIW для поддержания высокого уровня удельного сопротивления, блоком дегазации и УФ-блоком для удаления растворенного кислорода и стерилизацией органических веществ.
Химический жидкостный весовой агрегат
Спецификация
| Размеры и вес оборудования | |
|---|---|
| Размеры | Ш х В х Г: 294х1440х450 мм |
| Подключение | |
| Питание | 1 фаза, ~100В, 10А, 50/60 Гц |
| Сжатый воздух | 0,4 МПа |
| Азот (газ) | 0,6 МПа |
| Общий выхлоп | 200 Па, 500 л/мин |
| Конфигурация устройства | |
| Система загрузки подложки | Air PLAD |
| Задвижка | Заслонка резинового типа |
| Камера очистки | Закрытого типа, двухкамерная |
| Используемые химикаты | |
| Общего пользования | Деионизированная вода DIW (15МОм*см или более) |
| SC-1 | NH4OH, H2O2 |
| SC-2 | HCl, H2O2,HF |
| Процессорная камера | |
| Столик вращения | Подложка: 12,5 мм Максимальна скорость вращения:6 000 об/мин |
| Внутрикамерная атмосфера | Внутрикамерная атмосфера N2,всегда положительное давление с атмосферой 200 кПа или более |
| Нагрев | Галогеновая лампа, до 80°С |
| Система очистки DIW | Циркуляции внутри устройства |
Литература:
1. Sommawan Khumpuang, Hitoshi Maekawa, Shiro Hara, IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines, Vol.133 No.9 pp.272-277.
2. Shiro Hara, SEAJ Journal 2014, 4 No. 145, p.20.
3. Norio Umeyama, Atsushi Yamazaki, Takaaki Sakai, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara, Development of a Half-Inch Wafer for Minimal Fab Process, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference Proceedings of Technical Papers, 2017, P-25, p.228.