Minimal Laser Heating
Minimal Laser Heating – Установка нагрева подложки лазерным пучком (макс. 1200°C за 1.5 сек). Для диаметра пластины φ12,5 мм изменение толщины оксидной пленки в пределах φ10 мм составляет менее 1% (1σ). Обеспечивает динамическое отслеживание температуры процесса с точным контролем температуры. Длительный срок службы лазера и снижение затрат на обслуживание.
Общая структура установки Minimal Laser Heating:
Пример отжига подложки:
Отжиг подложки двумя лазерами для равномерного и однородного нагрева:
Облучение подложки одним лазером
Облучение подложки двумя лазерами
Пример сверхскоростного и прецизионного нагрева в Minimal Laser Heating.
Спецификация
Размеры и вес оборудования | |
---|---|
Размеры | Ш х В х Г:294х1440х450 мм |
Подключение | |
Питание | 1 фаза,~100В, 10А, 50/60 Гц |
Газ | Сжатый воздух, N2 |
Рабочий газ | Встроенный баллон |
Конфигурация устройства | |
Мощность лазера | макс. 130Вт + 80 Вт |
Длина волны лазера | 880 нм + 940 нм |
Система загрузки подложки | Air PLAD |
Подложка | 13 мм |
Откачка | Диафрагменный насос |
Нагрев | Лазерный |
Процессы | Термическое окисление (сухое). Термодиффузия. Отжиг. Спекание. |
Сравнение основных характеристик модулей Minimal Fab:
Resistance Furnace, Focused Light Heating и Laser Heating.
Сравнение скорости нагрева и охлаждения в модулях Minimal Fab:
Resistance Furnace, Focused Light Heating и Laser Heating.
Литература:
1. Yongxun Liu, Kazushige Sato, Hiroyuki Tanaka, Kazuhiro Koga, Sommawan Khumpuang, Masayoshi Nagao, Takashi Matsukawa, and Shiro Hara, "RTA-Temperature Dependence of Electrical Characteristics of PVD-TiN Metal Gate SOI-MOSFETs Fabricated on Half-Inch Minimal Wafers", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tokyo, 2018/9.