TOKYO BOEKI - официальный дистрибьютор Minimal Fab на территории России, странах СНГ и Европе
RU | EN
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛИНИИ
Телефон:
+7-495-223-4000
Факс:
+7-495-223-4001
E-mail:
main@tokyo-boeki.ru

Minimal Laser Heating

Minimal Laser Heating – Установка нагрева подложки лазерным пучком (макс. 1200°C за 1.5 сек). Для диаметра пластины φ12,5 мм изменение толщины оксидной пленки в пределах φ10 мм составляет менее 1% (1σ). Обеспечивает динамическое отслеживание температуры процесса с точным контролем температуры. Длительный срок службы лазера и снижение затрат на обслуживание.

Общая структура установки Minimal Laser Heating:

Пример отжига подложки:

Отжиг подложки двумя лазерами для равномерного и однородного нагрева:


Облучение подложки одним лазером

Облучение подложки двумя лазерами

 


Пример сверхскоростного и прецизионного нагрева в Minimal Laser Heating.

Спецификация

Размеры и вес оборудования
Размеры Ш х В х Г:294х1440х450 мм
Подключение
Питание 1 фаза,~100В, 10А, 50/60 Гц
Газ Сжатый воздух, N2
Рабочий газ Встроенный баллон
Конфигурация устройства
Мощность лазера макс. 130Вт + 80 Вт
Длина волны лазера 880 нм + 940 нм
Система загрузки подложки Air PLAD
Подложка 13 мм
Откачка Диафрагменный насос
Нагрев Лазерный
Процессы Термическое окисление (сухое).
Термодиффузия. Отжиг. Спекание.

 


Сравнение основных характеристик модулей Minimal Fab:
Resistance Furnace, Focused Light Heating и Laser Heating.

 


Сравнение скорости нагрева и охлаждения в модулях Minimal Fab:
Resistance Furnace, Focused Light Heating и Laser Heating.

Литература:
1. Yongxun Liu, Kazushige Sato, Hiroyuki Tanaka, Kazuhiro Koga, Sommawan Khumpuang, Masayoshi Nagao, Takashi Matsukawa, and Shiro Hara, "RTA-Temperature Dependence of Electrical Characteristics of PVD-TiN Metal Gate SOI-MOSFETs Fabricated on Half-Inch Minimal Wafers", International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tokyo, 2018/9.