Minimal Focused Light Heating
Minimal Focused Light Heating – Установка нагрева подложки сфокусированным световым пучком (макс. 1300°C за 1 мин.). Атмосферного типа.
Общая структура установки Minimal Focused Light Heating:
Пример термообработки поверхности подложки Si:
Подложка Si после и до термообработки.
Распределение толщины оксидной пленки после термической обработки при 1300°.
Средняя толщина 370 нм, 1?= 1,4%.
Распределение толщины оксидной пленки после термической обработки при 1300°.
Средняя толщина 61 нм, 1?= 0,9%. Возможность контроля толщины пленки до 2 нм с помощью контроля времени нагрева.
Спецификация:
| Размеры и вес оборудования | |
|---|---|
| Размеры | Ш х В х Г:294х1440х450 мм |
| Вес | 60 кг |
| Подключение | |
| Питание | 1 фаза, ~100В, 10А, 50/60 Гц |
| Газ | Сжатый воздух 0.4 МПа, N2 |
| Конфигурация устройства | |
| Система загрузки подложки | Air PLAD |
| Подложка | 12.5 мм |
| Метод нагрева | Инфракрасный сфокусированный свет |
| Нагрев | Галогеновый, 800 Вт |
| Производительность | Макс. 1300°C. |
| Рабочий газ | Атмосфера: вакуум / газ: O2,N2 |
| Камера | Кварцевое стекло |
| Охлаждение | Вентиляторного типа. Температура наружной стенки печи не превышает 70°C или меньше |
Сравнение основных характеристик модулей Minimal Fab:
Resistance Furnace, Focused Light Heating и Laser Heating.
Сравнение скорости нагрева и охлаждения в модулях Minimal Fab:
Resistance Furnace, Focused Light Heating и Laser Heating.
Литература:
1. Noriko Miura, Fumito Imura, Takeshi Yamada, Takeshi Aizawa, Shinichi Ikeda, Yuuki Ishida,
Takanori Mikahara, Yasuhiro Onishi, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Electrical Characteristics of Gate Thermal Oxide Processed by Minimal Focused Light Heating Furnace. Proceedings of the 77th JSAP Autumn Meeting, 2016, 16p-B10-8.