TOKYO BOEKI - официальный дистрибьютор Minimal Fab на территории России, странах СНГ и Европе
RU | EN
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛИНИИ
Телефон:
+7-495-223-4000
Факс:
+7-495-223-4001
E-mail:
main@tokyo-boeki.ru

Minimal SOD Doping Station B, P

Minimal SOD Doping Station B, P - Установка диффузии В,P из химического раствора методом SOD (spin on dopants). Minimal SOD Doping Station реализует равномерное покрытие раствором и очистки кромок пластин 0,5 дюйма с использованием обычного метода центрифугирования с использованием нашей оригинальной технологии.

Описание:

  • Однородность покрытия допирующей жидкости по всей поверхности подложки толщиной 1 мкм.
  • Равномерность в плоскости R< 2,0%.
  • Ширина удаления края кромки 0,5 мм.

Нанесение SOD жидкости

SOD покрытие после отжига

Спецификация

Размеры и вес оборудования
Размеры Ш х В х Г: 294х1440х450 мм
Подключение
Питание 1 фаза, ~100В, 10А, 50/60 Гц
Сжатый воздух 0,5 МПа
Азот (газ) 0,4 МПа
Общий выхлоп 200 л/мин, 200 Па
Конфигурация устройства
Система загрузки подложки Air PLAD
Задвижка Заслонка резинового типа
Камера очистки Закрытого типа, двухкамерная
Процессорная камера
Столик вращения Подложка: 12,5 мм
Максимальна скорость вращения:3 000 об/мин

Литература:
1. Shuuji Okuda, Sho Takeuchi, Yoshihisa Sensu, Takahiro Ito, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. Minimal spin coating by controlling local temperature in spin cup. Proceedings of the 62nd JSAP Spring Meeting, 2015, 14p-A29-6.
2. Kazuhiro Koga, Fumito Imura, Yuji Kitayama, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara. CMOSFET Fabrication by Minimal Spin-on Dopant Process. 2015 Proceedings of the 76th JSAP Autumn Meeting, 2015, 12-028.
3. Yongxun Liu, Kazuhiro Koga, Sommawan Khumpuang, Masayoshi Nagao, Takashi Matsukawa, Shiro Hara. An experimental study of solid source diffusion by spin on dopants and its application for minimal silicon-on-insulator CMOS fabrication. Japanese Journal of Applied Physics 56, 06GG01 (2017).