Установка ионной имплантации B, P, As со встроенным газовый источником ионов

Minimal Ion Implantation System B, P, As

Minimal Ion Implantation System B, P, As - Установка ионной имплантации B, P, As со встроенным газовый источником ионов и скруббером.

Рис. 2: Блок-схема установка ионной имплантации Minimal Ion Implantation System:
1 - источник ионов,
2 - газовый баллон SDS,
3- собирающая линза,
4 - масс-анализатор,
5 – отклоняющая система по XY,
6 – ускоритель,
7 - процессорная камера,
8 – TMН, 9 - блок управления,
10 –блок питания, 1
1, 12 - сухой насос,
13 – скруббер, 14 - vacPLAD

Спецификация Minimal Ion Implantation System B, P:
Источник газа	BF3 (соответствующая система B) PH3 (соответствующая система P)
Напряжение	10 - 30 кВ
Доза	1e12 - 1e16 ион/см²
Время	1e14 ион/см² 2мин.
Источник ионов	Катод W