TOKYO BOEKI - официальный дистрибьютор Minimal Fab на территории России, странах СНГ и Европе
RU | EN
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛИНИИ
Телефон:
+7-495-223-4000
Факс:
+7-495-223-4001
E-mail:
main@tokyo-boeki.ru

Minimal Mask Aligner

Minimal Mask Aligner - Установка выравниватель масок c функцией двустороннего выравнивания/совмещения. Ширина линии 1 мкм.

Описание:

Двухстороннее выравнивание возможно благодаря изображениям с передней и задней сторон пластины. Мощный светодиодный источник света может использоваться для экспонирования толстых пленок, что делает его идеальным для MEMS.


Шаблон 0.7 мкм

Экспонированный и проявленный шаблон

Изображение первого экспонирования

Совмещенное изображение размером 100 мкм

 


РЭМ изображение нанесенного резиста толщиной 1 мкм

Пример производства маски для Minimal Mask Aligner:


Маска и подложка для Minimal Fab

Таблица

Маска Подложка
Толщина, мм 0.25 0.25
Диаметр, мм 12.5 12.5
Защитная пленка Пленка Al -
Подложка стекло Si

Оптическая микрофотография полученной маски pMOSFET (маски с 1 по 4)

Спецификация

Оптическая система выравнивания
Оптическая система маркировки 2560 x1920, 4 –х пиксельная камера
Увеличение объектива 4X
Освещение Эпископическое,  коаксиальное
Оптическая система ориентирования плоскости 2560 x 1920, 2 –х пиксельная камера  
Увеличение объектива 0.8 крат
Выравнивание Обработка изображений визуального, автоматического выравнивания и наблюдения на мониторе
Столик выравнивания
Ход выравнивания XY 8 мм
Источник перемещения Импульсный мотор
Разрешение 0.1мкм
Ход по оси Θ ±3°
Разрешение 0.00225°
Ход выравнивания Z 30 мм
Источник перемещения Импульсный мотор
Разрешение 1мкм
Метод контроля Контроль давления с помощью тензодатчика
Уровень оси Автоматическая регулировка баланса с помощью контакта пластины и маски
Маска
Размер маски φ0.5дюйма, t = 0.8мм
Система экспонирования
Источник экспонирования LED365±5нм.
Интенсивность 45 мВт/см2 (при расстоянии 50 мм)
Область облучения 10 x 10 ммв пределах 3.6%
Интегратор объектива 3 мм квадрат
Режим экспонирования бесконтактный, установленный в зазоре с разрешением 0,1 мкм.
Мягкий контакт
Жесткий контакт

Литература:
1. Norio Umeyama, Yuji Kitayama, Haruki Toonoe, Junko Kazusa, Sommawan Khumpuang, Shiro Hara, An in-line MINIMAL FAB process from producing photomasks to transistor fabrication. Proceedings of the 76th JSAP Autumn Meeting, 2015,13p-1C-1.
2. N. Umeyama, S. Khumpuang, S. Hara, An In-Line MOSFET Process With Photomask Fabrication Process In A Minimal Fab, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) 2017, p.226