Minimal EB Exposure
Minimal EB Exposure - Установка электронно-лучевого экспонирование. Разрешение L/S: 200 нм.
Описание:
- Электронно-оптическая колонна высокого разрешения с электронной пушкой типа Шоттки.
- Система объединяет функции наблюдения и экспонирования.
- Функция выравнивания с помощью прецизионного автоматического столика.
- Отсутствие загрязнения, полностью сухим вакуумным выхлопом.
| Производительность экспонирования | |
|---|---|
| Толщина пленки | 200 нм |
| Чувствительность | 30 мС/см2 |
| Ускоряющее напряжение | 10 кВ |
| Скорость рисования | 5 мин/мм2 |
Дополнительные возможности
Функция измерения длины:
Фоторезист: ZEP520A (Xeon).
Спецификация
| Размеры ивес оборудования | |
|---|---|
| Размеры | Ш х В х Г:294х1440х450 мм |
| Вес | 100 кг |
| Подключение | |
| Питание | 1 фаза, ~100В, 4А, 50/60 Гц |
| Сжатый воздух | 0,45 – 0,8МПа |
| Конфигурация устройства | |
| Система загрузки подложки | Vac PLAD |
| Подложка | 12,5 мм |
| Столик | X-Y-Z-R,моторизированный |
| Производительность экспонирования | |
| Минимальная ширина линии | 250 нм илименьше |
| Ускоряющее напряжение | -0.5 ̴ -15 кВ с шагом 0.1 кВ |
| Точность сшивки | ±0.3 мкмили меньше |
| Точность выравнивания | ±0.6 мкм или меньше |
| Производительность колонны | |
| Разрешение | 10 нм при15 кВ |
| Увеличение | 50 ̴ 100 000 крат |
| Ток зонда | 1 пА ̴ 1нА |
| Детектор | Детектор вторичных электронов |